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Intel planeja trocar silício por novos materiais em processadores de 7 nm

Material utilizado pela empresa comercialmente desde o Intel 4004 deverá ser deixado de lado após a geração de 10 nm; o substituto ainda não foi anunciado

broadwell (Divulgação)

broadwell (Divulgação)

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Da Redação

Publicado em 24 de fevereiro de 2015 às 12h42.

Utilizado até hoje na fabricação de microchips, o silício deve finalmente ser deixado de lado pela Intel. A empresa anunciou nesta semana que já começou a trabalhar em seus próximos processadores, que terão arquitetura de 10 nanômetros – e também serão os últimos a utilizar o material como padrão em sua estrutura de transistores.

A notícia foi dada pela companhia em uma conferência realizada por telefone, e a ideia é partir para outros elementos na linha de chips de 7 nm, segundo o Ars Technica. Com lançamento planejado para 2018, os processadores terão transistores próximos demais para depender do silício. Por isso, deverão ser feitos de nanotubos de carbono ou de algum semicondutor dos grupos III-IV (do boro), como o arseneto de índio e gálio (InGaAs), embora ainda não haja confirmação da Intel.

De acordo com a reportagem, esse segundo tipo de material em especial tem “uma mobilidade maior de elétrons do que o silício”. Isso significa que os transistores feitos a partir dele podem ser bem menores e mais rápidos – e ainda mais eficientes, energeticamente falando – do que os atuais de 14 nm da série Broadwell, o que manteria a lei de Moore “ativa”.

O conceito descrito por Gordon Moore, fundador da Intel, diz que a densidade de transistores em um circuito dobra a cada dois anos, em média. É isso que basicamente os torna mais poderosos e econômicos a cada nova geração. Uma interrupção no processo, portanto, faria com que a evolução dos processadores fosse interrompida.

Os microchips de 10 nm, ainda baseados em silício, devem chegar ao mercado entre o fim de 2016 e o começo de 2017, visto que a empresa não pretende atrasar o lançamento como fez com os componentes da linha atual. Os de 7 nm, por sua vez, estão com estreia prometida para 2018. Mais informações sobre ambos devem ser reveladas durante a International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), que acontece nesta semana.

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